Articles scientifiques

• Dual role of 3C-SiC interlayer on DC and RF isolation of GaN/Si-based devices, Applied Physics Letters, 2022
• A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs, Applied Physics Letters, 2022
• Impact of III-nitride/Si interface preconditioning on breakdown voltage in GaN-on-silicon HEMT, Micromachines, 2021
• Electrical Characterization and Interface State Density in Au/n-InN/InP Schottky Diode, J. Nano and Electronic Physics, 2021

Conférences

• Capteurs de gaz à grille ionique YSZ à base de MOSHEMT GaN,LN2-2024,Bromon
• Impact of III-Nitride/Si interface on breakdown voltage in HEMT GaN/Si, CEE2021, Alger
• Electrical properties of Au/n-InP Schottky diode with InN interfacial layer, ICMS2018, Sétif

Projets récents

• Fabrication de capteurs à base de MOSHEMT GaN
• Étude des états de surface sur structures MOS GaN
• Développement de procédés hybrides de dépôt (e-beam, électroplacage, spray coating)
• Implémentation de bancs de test électriques